新一代低电压透射电子显微镜-LVEM 25E

新一代低电压透射电子显微镜-LVEM 25E

——TEM、STEM、SEM、EDS和ED五种模式



LVEM 25E是Delong公司推出的新一代低电压透射电子显微镜,配备了五种成像和分析模式,把实验室材料表征研究推向一个新高度。超快的样品切换和增强的自动化功能使LVEM 25E成为常规成像应用中十分实用且易用的工具。LVEM 25E能从标准制备的样品中获得对比度好、细节丰富的图像,并能在减少染色的情况下获得同等细节水平的图像。

LVEM 25E不仅可以测量内部和外部结构,还可以分析样品的化学成分,所有这些功能均在一台设备上完成。先进的软件设计,可通过自动设置镜筒对中和光阑位置来协助用户分析样品。

低电压设计,高分子样品成像更加出色,且支持多种成像模式,适用于多种形态高分子材料的透射,电子衍射,扫描和扫描透射电镜观察成像

五种成像模式

☆  配备TEM、STEM、SEM、EDS和ED模式

  通过直观的软件轻松切换成像模式

  TEM和STEM模式下的明场和暗场测量  

  SEM模式(BSE)用于表面测量

  能量色散光谱(EDS)用于元素分析

  电子衍射(ED)用于了解晶体结构


完全集成和紧凑的设计

  设计紧凑、节省空间

  几乎可以在任何实验室环境中进行单插头安装

  没有特殊的设施要求(不需要冷却、电源或防震隔离)


对标准样品的高对比度和分辨率

  对生物和轻型材料样品具有超高的对比度

  无需染色

☆  电子加速电压:10, 15, 25 kV

  图像分辨率高达 1.0 nm

  专为传统制备的样品设计

  超快的样品切换


一体化设计--紧凑、轻便

完全独立的设计使安装地点的选择没有限制,真正实现了电子显微镜的轻松搬迁。

无特殊设施--安装无忧

LVEM 25E可以很容易地安装在大多数实验室,而不需要对电气或管道进行特殊考虑。只需将其插入一个标准的电源插座即能投入使用。

永磁透镜 - 无需冷却

LVEM 25E采用了永磁透镜,使设备紧凑、坚固、易于使用,同时不需要任何冷却。

快速且容易的真空恢复 - 自动软烘烤和喷枪调节

如果出现真空损失,LVEM 25E可减少停机时间。具有自动软烘烤和喷枪调节功能,恢复真空的速度很快,而且无需维修。

直接光束测量--低剂量定量

此功能使用户能够测量样品的辐照度。

自动对准,两级放大 - 优异的成像条件

通过软件自动调整和控制LVEM 25E的镜筒对中和光阑位置,操作者就不需要手动校正。这意味着LVEM 25E总是准备好以优异的性能进行成像,并允许在不同的模式之间快速、轻松地切换。


快速的样品切换 - 高通量成像

重新设计的真空系统。LVEM 25E采用一个集成的、免维护的涡轮分子泵,结合无振动的离子泵,可以实现超快的样品切换,并产生一个超高真空的成像环境,使样品免受污染。


场发射电子枪 - 超高的对比度

25 kV的肖特基型场发射电子枪具有非常高的亮度和空间一致性,允许发射的电子和样品之间有很强的相互作用,使得LVEM 25E具有超高对比度成像。


Chem. Mater.:纳米异质结高分辨表征


宾夕法尼亚大学研究团队[1]聚焦于硫化铜纳米粒子,采用一种革命性的后合成转化方法,成功制备出三种不同的Cu2−xS−Cu2−xSe纳米异质结构,并利用LVEM系列低电压台式透射电子显微镜对不同的纳米异质结进行了成像表征。这项前沿研究不仅对传统的方法论提出来了挑战,还为精确设计和合成具有定制属性的先进纳米材料开辟了新的视野。文章以《Temperature-Dependent Selection of Reaction Pathways, Reactive Species, and Products during Postsynthetic Selenization of Copper Sulfide Nanoparticles》为题发表于《Chem. Mater.》上。 

这项研究的创新性之处在于,在硫化铜纳米棒的后合成过程中,通过精确控制反应温度,成功引导硒化反应形成了具有独特形态和成分的Cu2−xS−Cu2−xSe纳米异质结构。这些结构在光催化产氢、优化光伏量子点墨水以及光电子学和能源存储等领域具有广泛的应用前景,为相关领域的重大进步铺平了道路。


Cu2−xS 纳米棒合成后转化为三种不同 Cu2−xS−Cu2−xSe 纳米异质结构的过程示意图 [Cu2−xS = 青色,Cu2−xSe = 粉红色,Cu2−x(S,Se) =紫色]与粒子尺寸。Cu2−xS−Cu2−xSe纳米异质结构是将 Cu2−xS 纳米棒 (b,c) 注入保持在 185 °C (d,e)、200 °C (f,g) 的 Se/ddt/十八碳烯混合物中而得到的260°C (h,i) 2 小时。 HR-TEM 显示颗粒形态在较低温度下从棒状 (b) 到多面砖 (d) 和菱形 (f) 的变化,而在高温下 (h) 棒形态保持不变。 STEM-EDS 图(蓝色 = Cu,绿色 = S,洋红色 = Se)显示 Cu2−xSe 积分如何变化。 Cu2−xS/Cu2−xSe 核/壳在 185 °C 下形成 (d)。在 200 °C 时,围绕多面主要 Cu2−xS 核心形成 Cu2−xSe 的三角形沉积物 (f)。在 260 °C (h) 下,S 和 Se 与 Cu 均匀分布。 PXRD 展示了晶体结构的演变,从最初的铁锰矿 Cu1.8S 结构(c,与 ICSD 00-023-0958 相比)到 185 °C 下的立方菱锰矿 Cu2−xSe(e,与 ICSD 01-088-2043 相比) ,到具有第二相的绿柱石 (g),以及在 260 °C 时晶格收缩的纤锌矿31 (i)。

本研究中,Delong公司的LVEM系列低电压台式透射电子显微镜为观察不同反应温度下硫化铜纳米棒向Cu2−xS−Cu2−xSe纳米异质结构的转化提供了关键的成像数据支撑。如上图所示,在较低的温度(185°C和200°C)下,TEM成像揭示了硫化铜纳米棒演变为具有明确Cu2−xS和Cu2−xSe相分离的核壳结构;而在较高温度(260°C)下,纳米棒保持了其形态,表明硒的均匀掺杂形成了Cu2−x(S,Se)固溶体。


Cu2−xSe 纳米菱形的示意图。Cu2−xS 纳米棒在 Se/ddt/十八碳烯中于 200 °C 反应 30 分钟、1 小时和 2 小时的 TEM (a−c) 显示了随着尖端变尖和在棒侧面形成沉积物的形状演变。 10 分钟 (e) 和 1 小时 (f) 时的 STEM-EDS 显示沉积物为 Cu2−xSe,限制在边缘,并在 1 小时时开始聚结


参考文献:[1]. Temperature-Dependent Selection of Reaction Pathways, Reactive Species, and Products during Postsynthetic Selenization of Copper Sulfide Nanoparticles[J].Chemistry of Materials, 2023, 35(21):9073-9085.DOI:10.1021/acs.chemmater.3c01772.


LVEM 25E配备了TEM、STEM、SEM、EDS和ED模式,为用户提供了独特的选择。用户可以从一个样品中获得多种数据结果,通过直观的LVEM软件即可在各种成像模式之间轻松切换。


TEM


25 kV TEM模式下提供了高帧率成像,以实现良好对比的尺寸、形状和结构测量。


STEM


在较低的加速电压下,10 kV和15 kV STEM模式的成像提供了更高的对比度,并允许分析更厚的样品。


Dark Feild


TEM和STEM暗场模式(HAADF)都能使样品在具有挑战性的背景、晶面、位错、DNA等方面更容易成像。


SEM


SEM模式(BSE)提供对样品表面的分析,以了解表面形状和纹理。


ED


电子衍射可以对晶体材料进行结构表征。


EDS


EDS模式允许分析样品的化学成分,并创建元素成分图,可与STEM和SEM数据叠加。