微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）, 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。
MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司的 CYRANNUS® 等离子技术解决了传统等离子技术的局限，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，程度上减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。
应用领域
▪ 大尺寸宝石级单晶钻石
▪ 高取向度金刚石晶体
▪ 纳米结晶金刚石
▪ 碳纳米管/类金刚石碳（DLC）
▪ MPCVD同样适用于其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。
采用cyrannus技术，等离子球更加均匀、更加稳定，可获得工具级/光学级/电子级单晶金刚石和多晶薄膜#
1.CYRANNUS®技术无需在样品腔内安装内部电极，在沉积腔内，没有工作气体以外的任何物质，洁净，无污染源。等离子发生器可以保持长寿命，并可以确保腔内的等离子体的均匀分布，进一步生成晶体的纯净度和生长周期。
2.CYRANNUS®技术的腔外多电极设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，对腔壁、窗口等无侵蚀作用，减少杂质来源，提高晶体纯度。由CYRANNUS®系统合成的金刚石，纯度均在VVS级别以上。
3.电子温度和离子温度对中性气体温度之比非常高，运载气体保持合适的温度，因此可使基底的温度不会过高。
4.微波发生器稳定易控，能在从10 mbar到室压的高压强环境下维持等离子体，在气流、气压、气体成分、电压出现波动时，确保等离子体状态的稳定，保证单晶生长的过程不被上述干扰而中断，有利于获得大尺寸单晶金刚石。
5.可以采用磁约束的方法，约束在等离子团在约定的空间内，微波结和磁路可以兼容。
6.安全因素高。高压源和等离子体发生器互相隔离，微波泄漏小，容易达到辐射安全标准。
7.可搭配多种功率微波源和不同尺寸腔体，满足从实验室小型设备到工业大型装置的不同需要。大可以对300mm直径的衬底沉积金刚石薄膜。
化学机理概要： 碳氢化合物：提供沉积材料 氢气：生成sp3键 氧：对石墨相/sp2键侵蚀 惰性气体：缓冲气体，或生成纳米晶体。 适用合成材料： 大尺寸宝石级单晶钻石 高取向度金刚石晶体 纳米结晶金刚石 碳纳米管/类金刚石碳（DLC） |
宝石级钻石 vvs1,~1 carrat, E grade |
多种等离子发生器选择：
频率：2.45 GHz, 915 MHz
功率：1-2 kW, 1-3 kW, 3-6 kW,1-6 kW，5-30 kW
等离子团直径：70 mm, 145 mm, 250 mm, 400 mm
工作其他范围：0-1000 mBar |  |
其他应用： MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。 |
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参考文献：Growth of large-scale heteroepitaxial 3C-SiC films and nanosheets on silicon substrates by microwave plasma enhanced CVD at higher powers, Surface and Coatings Technology,Volume 299,2016,Pages 96-103,ISSN 0257-8972.
