材料类型

使用二维电子气（2DEG）结构的薄膜技术

砷化铟块状材料，掺杂后具有高稳定性

砷化铟块状材料，掺杂后具有高灵敏度

砷化镓薄膜

温度范围

1 K* ~ 402 K
  (-272 °C* ~ 125 °C)
  * 低温版本在研发中

1.5 K ~ 375 K
  (-271.5 °C ~ 102 °C)

208 K ~ 373 K
  (-65 °C ~ 100 °C)

233 K ~ 402 K
  (-40 °C ~ 125 °C)

互换性

好—灵敏度值范围窄、线性度优异、偏移电压小

差—灵敏度范围足够大，需要了解平均灵敏度值

差—灵敏度范围足够大，需要了解平均灵敏度值

差—灵敏度范围足够大，需要了解平均灵敏度值

坚固性

好

差

差

好

Lake Shore 仪器兼容性

F71 或 F41 特斯拉计选择即插即用传感器--完整的传感器校准和温度补偿功能，可提供与完整的高斯计探头相当的精度

425 或 475 高斯计

使用 HMCBL 电缆；仅使用单一灵敏度值完成现场转换，这意味着高斯计不进行线性和温度补偿

425 或 475 高斯计

使用 HMCBL 电缆；仅使用单一灵敏度值完成现场转换，这意味着高斯计不进行线性和温度补偿

不兼容

平面霍尔效应

无，是测量未知方位场的理想选择

显著，块状材料产生了足够的平面霍尔效应，因此只能精确测量已知方向的磁场

显著，块状材料产生了足够的平面霍尔效应，因此只能精确测量已知方向的磁场

部分，薄膜元件可能会出现少量的平面霍尔效应误差

额定电流下的灵敏度

50.5 ~ 52.5 mV/T

5.5 ~ 11 mV/T

55 ~ 125 mV/T

110 ~ 280 mV/T

灵敏度温度系数

200 ppm/°C

50 ppm/°C

800 ppm/°C

600 ppm/°C

额定驱动电流

1 mA

100 mA

100 mA

1 mA

典型输入电阻

800 Ω

2 Ω

2 Ω

750 Ω

典型输入电阻温度系数

0.7%/°C

0.15%/°C

0.18%/°C

0.2%/°C

最佳偏移电压（等效磁场）

±25 µV (0.5 mT)

±50 µV (4.5 mT)

±75 µV (0.6 mT)

±2.8 mV (10 mT)