■ 基于SnSe晶体搭建的TEG热电器件性能优化
北京航空航天大学赵立东课题组最新工作,通过在SnSe中引入Cu填充Sn空位,从而有效提高载流子迁移率,基于获得的高性能SnSe晶体搭建的热电器件在发电和制冷都表现出优异的性能。发电器件(TEG)在300K温差下能够实现高达12.2%的发电效率,制冷器件(TEC)在室温及高温下也均实现了优异的制冷性能。
图3、使用SnCu0.001Se制备的单腿热电发电器件的热电转换效率(A)及热电制冷器件(7对)的最大制冷温差(B)与理论计算值的比较
该工作以《Lattice plainification advances highly effective SnSe crystalline thermoelectrics》为题,发表在《Science》上,其中单腿发电器件的发电量及转换效率均使用Mini-PEM测得。
■ 通过缺陷结构的调控优化GeTe基材料的热电性能
清华大学李敬锋课题组通过在碲化锗(GeTe)中构建原子尺度的点缺陷、纳米尺度的位错和电畴以及微观尺度的晶界等结构,显著降低了晶格热导率;同时,通过高维缺陷的构建有效弱化载流子散射,提升电输运性能。由于热导率和电学性能的综合调控,材料的zT值超过了2.3,且在300 K-798 K的温度范围内获得了1.56的平均ZT值,优于其他无铅掺杂的GeTe基热电材料。使用该材料制备的单臂热电器件,优化后的最高转换效率可达11%。相关工作以《Evolution of defect structures leading to high ZT in GeTe-based thermoelectric materials》为题发表于《nature communications》上[1]
BixGe0.97–xTe-723 及 BixGe0.97–xTe-873 的热电优值zT与温度的关系(a);BixGe0.97–xTe-873与其他工作中GeTe基热电材料的平均热电优值zT的对比(b);单腿器件的发电量(c)、热电转换效率(d)与温度的关系
本工作中,材料的高温电输运性能(塞贝克系数S及电导率σ)使用日本Advance Riko公司生产的塞贝克系数/电阻测量系统ZEM-3测得;器件的发电量及热电转换效率使用日本Advance Riko公司生产的小型热电转换效率测量系统Mini-PEM测得。
参考文献:
[1] Jiang, Y., Dong, J., Zhuang, HL. et al. Evolution of defect structures leading to high ZT in GeTe-based thermoelectric materials. Nat Commun 13, 6087 (2022). https://doi.org/10.1038/s41467-022-33774-z
■ 使用Mini-PEM测量多晶碲化铋单腿器件在不同温差下的热电转换效率
清华大学李敬锋老师课题组新工作:使用Mini-PEM测量多晶碲化铋单腿器件在不同温差下的热电转换效率;该工作中材料的塞贝克系数与电阻率使用ZEM-3测得。(https://doi.org/10.1002/adfm.202009681)
■ 热电材料的性能评价
近日,来自日本产业技术研究所(AIST)的科研人员使用日本ADVANCERIKO公司的小型热电转换效率测量系统Mini-PEM评价了Bi2Te3合金的热电性能。科研人员使用掺杂了Sb或Se的Bi2Te3合金制备了如图1的单偶热电器件来测量热电转换效率。
图1a Mini-PEM样品单元示意图
图1b Bi2Te3合金单偶热电器件
当热端温度为50℃、100℃、150℃、200℃和220℃时,分别测量各个温度下冷却循环水的进口温度与出口温度,待温度稳定再后进行电学测量(Voltage/Current),后分别绘制电压、输出功率、热流量和热电转换效率与电流关系的曲线。(图2)
图2 电压、输出功率、热流量和热电转换效率与电流的关系曲线
科研人员还使用了同样是日本ADVANCERIKO公司产品的塞贝克系数/电阻测量系统ZEM-3和激光热导仪分别测量了材料(来自同一批次热压法制备的Bi2Te3合金)的热电转换参数(电阻率、热导率、塞贝克系数和热电优值ZT),结果见图3。
图3 材料的热电参数:电阻率(a)、热导率(b)、塞贝克系数(c)和热电优值(ZT)
由以上测量结果可以得知,电压、功率、热流量和热电转换效率均与电流相关。当温度差增加时,以上各项均增大。热流量是通过测量冷却循环水的进出口温度计算得到的。当热端温度为220℃时,可以测得大的功率(0.14W)和热电转换效率(3.1%)。
参考文献:
[1] XIAOKAI HU, KAZUO NAGASE, PRIYANKA JOOD, MICHIHIRO OHTA, and ATSUSHI YAMAMOTO. Journal of ELECTRONIC MATERIALS, Vol. 44, No. 6, 2015.
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