新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ
Quantum Design Japan公司推出的新一代高性能激光浮区法单晶炉(型号:LFZ-2kW)传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念,具有更高功率、更加均匀的能量分布和更加稳定的性能,将浮区法晶体生长技术推向一个全新的高度!
应用领域
新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ适用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备,尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。
采用新一代高功率激光器,功率更高,温度梯度更加优化,可获得高质量单晶,适用于多种超导材料优质单晶生长#采用新一代高功率激光器,功率更高,温度梯度更加优化,可获得高质量单晶,适用于多种磁性材料优质单晶生长#采用新一代高功率激光器,功率更高,温度梯度更加优化,可获得高质量单晶,适用于各种单晶生长#采用新一代高功率激光器,功率更高,温度梯度更加优化,可获得高质量单晶,制备出的优质单晶样品可用于低温强磁场实验#采用新一代高功率激光器,功率更高,温度梯度更加优化,可获得高质量单晶,适用于多种强关联体系材料优质单晶生长#采用新一代高功率激光器,功率更高,温度梯度更加优化,可获得高质量单晶,制备出的优质单晶样品可用于拓扑机理研究#