霍尔效应是指当电流流动时,导体置于磁场中,导体片上会产生电压。霍尔效应传感器通过提供与磁通密度成正比的输出电压来测量或检测磁场。
Lake Shore为各种应用提供一系列霍尔传感器,不仅仅局限于简单的磁场检测应用,例如编码器、非接触式开关和电子罗盘,也适用于现场测量应用。
主要特征
☛ 多种封装类型
☛ 有效面积小
☛ 单轴或三轴配置
☛ 适用于极端环境(低温、辐射、真空)
不同类型霍尔传感器性能对比
2Dex
InAs—stable
InAs—sensitive
GaAs
材料类型
使用二维电子气(2DEG)结构的薄膜技术
砷化铟块状材料,掺杂后具有高稳定性
砷化铟块状材料,掺杂后具有高灵敏度
砷化镓薄膜
温度范围
1 K* ~ 402 K (-272 °C* ~ 125 °C) * 低温版本在研发中
1.5 K ~ 375 K (-271.5 °C ~ 102 °C)
208 K ~ 373 K (-65 °C ~ 100 °C)
233 K ~ 402 K (-40 °C ~ 125 °C)
互换性
好—灵敏度值范围窄、线性度优异、偏移电压小
差—灵敏度范围足够大,需要了解平均灵敏度值
坚固性
好
差
Lake Shore 仪器兼容性
F71 或 F41 特斯拉计选择即插即用传感器--完整的传感器校准和温度补偿功能,可提供与完整的高斯计探头相当的精度
425 或 475 高斯计
使用 HMCBL 电缆;仅使用单一灵敏度值完成现场转换,这意味着高斯计不进行线性和温度补偿
不兼容
平面霍尔效应
无,是测量未知方位场的理想选择
显著,块状材料产生了足够的平面霍尔效应,因此只能精确测量已知方向的磁场
部分,薄膜元件可能会出现少量的平面霍尔效应误差
额定电流下的灵敏度
50.5 ~ 52.5 mV/T
5.5 ~ 11 mV/T
55 ~ 125 mV/T
110 ~ 280 mV/T
灵敏度温度系数
200 ppm/°C
50 ppm/°C
800 ppm/°C
600 ppm/°C
额定驱动电流
1 mA
100 mA
典型输入电阻
800 Ω
2 Ω
750 Ω
典型输入电阻温度系数
0.7%/°C
0.15%/°C
0.18%/°C
0.2%/°C
最佳偏移电压(等效磁场)
±25 µV (0.5 mT)
±50 µV (4.5 mT)
±75 µV (0.6 mT)
±2.8 mV (10 mT)
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