电容温度传感器
CS系列电容传感器几乎不受磁场影响，非常适合用作强磁场中的低温温度控制传感器。因位移电流不受磁场影响，当扫描磁场或在恒定温度操作下改变场值时，可将温度控制波动保持在最低水平。
主要特征
☛ 几乎无磁场引起误差
☛ 能够在强磁场下保持mK控制稳定性
☛ 从低温接近室温时电容与温度保持单调性
☛ 需要辅助传感器提供温度值
CS系列电容传感器几乎不受磁场影响，非常适合用作强磁场中的低温温度控制传感器。因位移电流不受磁场影响，当扫描磁场或在恒定温度操作下改变场值时，可将温度控制波动保持在最低水平。
主要特征
☛ 几乎无磁场引起误差
☛ 能够在强磁场下保持mK控制稳定性
☛ 从低温接近室温时电容与温度保持单调性
☛ 需要辅助传感器提供温度值
由于电容/温度曲线在热循环时会发生微小变化，因此必须在冷却后将校准结果从另一个传感器转移到电容上，以获得最佳精度。建议使用另一个温度传感器测量零磁场温度，电容传感器仅用作温度控制元件。
温度重复性
经过一段时间的热循环后，电容传感器的电容/温度对应值会发生一些改变，在4.2K、77K和室温时大约是十分之几的变化。在较长时期后，变化可达到1℃或更多。然而任何减少的电容，C(T)/C(4.2K)一般稳定在±0.5K以内。这些变化或漂移，在温度响应曲线中，对传感器的稳定性没有影响，因此在某个给定的温度下，这些变化是不会影响电容传感器做为控制元件使用的主要功能。
温度稳定性/温度传递准确性
电容传感器在工作温度下长时间提供非常稳定的控制条件，但由于存在工作“老化”现象，因此在使用时必须考虑这种情况。电容/温度特性的变化可能是介电常数和介电损耗（或称 "老化"）随时间变化的结果，所有铁电介质都会出现这种情况。这种时间依赖性表现为电容/温度值的短期漂移（数分钟至数小时），传感器受到热干扰或改变激励电压或频率时就会出现这种漂移。为弥补这一缺陷，在初始冷却至所需工作温度后，以及在对控制温度进行重大调整时，应将传感器稳定一小时。
在稳定一小时后，这种短期漂移在 4.2 K 时为每分钟十分之几mK，在 305 K 时为每分钟几个mK。漂移始终沿着电容减小的方向进行，因此与 290 K 以下温度的降低相对应。
