Quantum Design Japan公司推出的高温光学浮区法单晶炉，采用镀金双面镜、高反射曲面设计，高温度可达2100℃-2200℃，系统采用高效冷却节能设计（不需要额外冷却系统），稳定的电源输出保证了灯丝的恒定加热功率......
适用材料：
☛ 高温超导体
☛ 介电和磁性材料
☛ 金属间化合物
☛ 半导体/光学晶体/宝石
采用高效双瓣反射镜，内置冷却系统，集成度高，操作方便，适用于多种超导材料优质单晶生长#采用高效双瓣反射镜，内置冷却系统，集成度高，操作方便，适用于多种磁性材料优质单晶生长#采用高效双瓣反射镜，内置冷却系统，集成度高，操作方便，适用于多种材料的优质单晶生长#采用高效双瓣反射镜，内置冷却系统，集成度高，操作方便，制备出的优质单晶样品可用于低温强磁场实验#
设备原理：
光学浮区法（垂直区熔法）也可以说是一种垂直的区熔法。在生长装置中，在生长的晶体和多晶棒之间有一段靠光学聚焦加热的熔区，该熔区有表面张力所支持。熔区自上而下或自下而上移动，以完成结晶过程。
浮区法的主要优点是不需要坩埚，也由于加热不受坩埚熔点限制，可以生长熔点材料。生长出的晶体沿轴向有较小的组分不均匀性在生长过程中容易观察等。浮区法晶体生长过程中，熔区的稳定是靠表面张力与重力的平衡来保持，因此，材料要有较大的表面张力和较小的熔态密度。浮区法对加热技术和机械传动装置的要求都比较严格。
镜面系统
▶ 高精度光学浮区炉助力单晶样品在磁电领域取得重要进展
近期，哈尔滨工业大学的W.Q.Liu等人对磁电材料Mn4Nb2O9单晶样品进行了仔细的研究。研究表明：零磁场测试介电常数时，没有发现介电常数的反常，此时Mn4Nb2O9基态表现为顺电特性；而在磁场条件下，介电常数在Neel温度处发生突变的峰，且随着磁场的增加介电峰也增强，且峰位向低温端偏移，这意味着磁场有抑制反铁磁转变的趋势；高场（H≥4T）下的介电常数-温度依赖关系也跟H2正比关系，由此也表明Mn4Nb2O9是线性磁电材料。更多研究结果可参考文献[4].
以上图片引自文献[4].
详细信息请参考：http://www.qd-china.com/zh/news/detail/2112271556779
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Fig. 2. Photographs of (a) a wafer with a growth rate of 5 mm/h in pure oxygen. (b) An as-grown (Nb + ln) co-doped TiO2 crystal with growth rate of 5 mm/h in air and the crystal wafer cut perpendicular to the growth direction.
参考文献：
“High quality(InNb)0.1Ti0.9O2 single crystal grown using optical floating zone method“. Journal of Crystal Growth 446(2016)74–78.
