我们的产品

FIB:ZERO聚焦离子束

采用Cs⁺低温离子源（LoTIS）的聚焦离子束 FIB：ZERO系统以较低的束能量提供较小的聚焦点尺寸，并提供多种束电流。它是当今基于Ga⁺，He⁺或Ne⁺的FIB的下一代替代产品。

动态SIMS

与同类产品相比，采用Cs⁺低温离子源（LoTIS） 的SIMS：ZERO聚焦电子束SIMS平台，可向同一个点提供100倍的电流，从而能够以更高的分辨率分析更大的样本。

SIMS：ZERO产品特点：

◎  具有纳米分辨率的Cs⁺ 离子束

◎  10+ nA束电流（Cs⁺）

◎  功能齐全的FIB系统

◎  高分辨率的SIMS

SIMS：ZERO技术优势：

◎  无需薄片即可获得类似EDX的光谱

◎  收集SIMS数据的速度提高100倍

◎  控制SIMS的纳米加工过程

高分辨率 Cs+ 动态 SIMS（SIMS:ZERO）NEW！！！

微纳加工对比

加工均匀性对比

左图为用FIB (Ga⁺ LMIS)系统从硅基底上去除150nm厚金膜的结果，右侧为ZeroK nanotech的FIB: ZERO （Cs⁺ LoTIS）在相同时间内去除金膜的结果。

加工精度对比

左侧图为Ga⁺离子源FIB加工结果, 右侧图为ZeroK Nanotech FIB: ZERO在相同时间内加工的结果。

加工速度对比

在10 kV下，Cs⁺离子束磨削速度比30kV下的Ga⁺离子束慢15%，比10kV下的Ne⁺离子束的磨削速度高90%。

加工损伤范围对比

SRIM（The Stop and Range of Ions in Matter）模拟离子束在加工硅的过程中对材料的影响范围，图从左右分别为Ne⁺10KV, Ga⁺30KV, Cs⁺10KV。从图可以看出，Cs+离子源对被加工材料的损伤范围小。

成像效果对比

景深成像对比

左图为Ga⁺离子源FIB系统对120μm高的样品成像结果，右图为ZeroK Nanotech FIB：ZERO对同一样品的成像结果。

成像对比度比较

左图为Ga+离子源FIB对GaAs/AlGaAs/GaAs层状结构的成像结果，右图为ZeroK Nanotech FIB：ZERO对同一样品的成像结果。

成像清晰度比较

左图为Ga⁺离子源FIB系统对芯片横截面的成像结果，右图为ZeroK Nanotech FIB：ZERO对同一截面的成像结果。

1. Steele, A. V., A. Schwarzkopf, J. J. McClelland and B. Knuffman (2017). "High-brightness Cs focused ion beam from a cold-atomic-beam ion source." Nano Futures 1: 015005.

2. Knuffman, B., A. V. Steele and J. J. Mcclelland (2013). "Cold atomic beam ion source for focused ion beam applications." Journal of Applied Physics 114(4): 191.

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