高质量单晶生长设备——单晶炉系列
单晶炉是人工合成晶体必不可少的关键技术设备。为满足国内科研用户多样的单晶制备需求，Quantum Design中国先后引进了系列高质量单晶生长设备，主要包括：高性能激光浮区法单晶炉-LFZ、高精度光学浮区法单晶炉、高温高压光学浮区炉、四电弧高温单晶生长炉以及激光加热基座晶体生长炉等，充分胜任各种单晶的生长工作，广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等研究领域。
√ 加热类型：5束激光 √ 激光功率：2KW √ 熔区温度：高3000℃ √ 适合生长晶体：适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。
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√ 镜面设计：镀金双面镜、高反射曲面设计，温区更加均匀。 √ 熔区温度：2100℃-2200℃ √ 适合生长晶体：高温超导体、介电材料、磁性材料、热电材料、金属间化合物、半导体、激光晶体等。
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√ 熔区温度：高3000℃ √ 熔区压力：10/50/100/150/300bar等多种规格可选。
√ 适合生长晶体：适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。
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√ 加热类型：四电弧法加热 √ 熔区温度：2000~3000°C √ 适合生长晶体：非常适合生长化学性质活跃但熔点的金属间化合物，包括含有稀土元素（或者金属铀）的二元及四元金属间化合物、合金单晶等。
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