Residual metallic contamination of transferred chemical vapor deposited graphene
Lupina, G., et al. ACS Nano 2015 DOI: 10.1021/acsnano.5b01261
本文作者研究了通常用于将CVD石墨烯放置到应用衬底上的湿转移工艺会导致材料的微量污染。这些纯度会对石墨烯的其他特殊特性产生不利影响,并对电子和光电应用产生影响。
相关设备: nanoCVD-8G
Transparent conductive graphene textile fibers
Neves, A. I. S., et al. Scientific Reports 2015 DOI: 10.1038/srep09866
使用nanoCVD-8G制成的石墨烯被转移到纤维上,生产出柔韧的、完全嵌入的纺织电极。石墨烯的高质量意味着电有超低的表面电阻和高的机械稳定性。
相关设备: nanoCVD-8G
High quality monolayer graphene synthesized by resistive heating cold wall chemical vapor deposition
Bointon, T. H., et al. Advanced Materials 2015 DOI: 10.1002/adma.201501600
展示了冷壁法CVD合成石墨烯的优势,并报道了使用nanoCVD – 8G制备的高质量石墨烯材料具有超高的载流子迁移率,表现出半整数量子霍尔效应,这与剥离制备的样品相当。
相关设备: nanoCVD-8G
Mapping nanoscale electrochemistry of individual single-walled carbon nanotubes
Güell, A. G., et al. Nano Letters 2014 DOI: 10.1021/nl403752e
利用nanoCVD – 8N技术制备了单壁碳纳米管,并利用电化学技术对其进行了研究。高分辨率的测量可以检查单个单壁碳纳米管的特性。这一发现对未来使用SWNT电极的器件设计具有重要意义。
相关设备: nanoCVD-8N
Nanoscale electrocatalysis: Visualizing oxygen reduction at pristine, kinked, and oxidized sites on individual carbon nanotubes
Byers, J. C., et al. Journal of the American Chemical Society 2014 DOI: 10.1021/ja505708y
电化学技术,结合使用nanoCVD - 8N技术产生的单壁碳纳米管,被用来证明即使在没有掺杂、修饰或缺陷的情况下,碳纳米管也表现出显著的活性。
相关设备: nanoCVD-8N