锗电阻温度传感器

锗电阻温度传感器


Lake Shore 锗电阻温度传感器是公认的 "二级标准温度计",用于测量0.05 K至30 K的温度。锗传感器的有效温度范围约为两个数量级,具体范围取决于锗元素的掺杂程度。低温温度传感器的量程在 0.05 K 以下到 100 K 之间。温度范围在 100 K 和 300 K 之间时,传感器的dR/dT 的符号会发生变化,且在 100 K 以上时,所有型号的 dR/dT 都非常小。传感器的电阻从最高使用温度下的几欧姆到最低温度下的几十千欧姆不等。


主要特征 

☛  公认的二级标准温度计

☛  高灵敏度可在4.2 K及以下温度下提供亚mK温度控制

☛  极好的重复性,在4.2K时优于±0.5mk

☛  0.05K到100K多种型号可选

☛  优异的抗电离辐射性能

 


低温下超高分辨率及超高稳定性


由于锗传感器的灵敏度随温度的降低而迅速增加,因此它在较低温度下也能达到很高的分辨率,这使得这些传感器在 4.2 K 及以下的亚mK控制中非常有用。

锗传感器具有超高的稳定性,在4.2 K时具有±0.5 mK的重复性。锗传感器通常是30 K以下高精度工作的最佳选择。不建议在磁场中使用。

 

锗电阻温度传感器温度特性

 

典型的锗电阻的电阻特性

典型的锗电阻的灵敏度特性

典型的锗电阻的无量纲灵敏度特性

订购信息

 

未标定传感器—仅在左栏指定型号,例如 GR-50-AA.

标定传感器—在型号末尾添加标定范围后缀代码,例如 GR-50-AA-0.05A

锗电阻

标定范围后缀代码

数字代表温度标定的最低值

字母代表温度标定的最高值: A=5 K, D=100 K

型号

Uncal

0.05A

0.3D

1.4D

GR-50-AA



GR-300-AA


GR-1400-AA



GR-50-CD



GR-300-CD


GR-1400-CD



注:GR-50-AA标定不适用于5 K以上温度


锗电阻参数


基本信息


标准曲线

不适用,每个温度计需要标定后使用

推荐激励

20 µV (0.05 K ~   0.1 K);63 µV (0.1 K ~ 1 K); 10 mV或以下@ T > 1 K

推荐激励下的损耗

10-13W@0.05 K;10-7W@4.2 K (依据温度和型号)

热响应时间

200 ms @ 4.2 K 3 s @ 77 K

用于辐射环境

推荐在电离辐射环境中使用

用于磁场环境

不推荐

重复性

4.2K下:±0.5 mK(短期),±1 K(每年)

77 K下:±10 mK (每年)

温度使用范围

最低温度

最高温度

GR-50-AA

<0.05 K

5 K

GR-300-AA

0.3 K

100 K

GR-1400-AA

1.4 K

100 K

标定精度

GR-50

GR-300

GR-1400

0.05 K

±5 mK

0.3 K

±5 mK

±4 mK

0.5 K

±5 mK

±4 mK

1.4 K

±6 mK

±4 mK

±4 mK

4.2 K

±6 mK

±4 mK

±4 mK

77 K

±25 mK

±15 mK

100 K

±32 mK

±18 mK










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