站内搜索
产品信息 ·当前位置:首页 -> 产品信息 
新一代高性能激光浮区法单晶炉(LFZ)      
 
新一代高性能激光浮区法单晶炉(LFZ)
Laser Floating Zone Crystal Furnace (LFZ)

    Quantum Design Japan公司推出的激光浮区法单晶生长系统传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念,新一代高性能激光浮区炉具有更高功率、更加均匀的能量分布和更加稳定的性能,将浮区法晶体生长技术推向一个全新的高度!

    激光浮区法单晶生长系统可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备,尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作,跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比,Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势:
 
  采用专利技术同源五路激光设计,确保熔区能量分布更加均匀(专利号:JP2015-58640)
  更加科学的激光光斑优化方案,有助于降低晶体生长过程中的热应力(专利号:JP2017-136640, JP2017-179573)
  采用了独特的实时温度集成控制系统(专利号:JP2015-78683)
 
 
 传统的五束独立激光源能量分布欠均匀
 新一代独家专利技术同源五路激光设计
能量更均匀
 
 
新一代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数:
 

加热控制

激光束源

5束同源设计

激光功率

2KW

熔区最高温:

~3000℃*

测温范围

900℃~3500℃

温度稳定性

+/-1℃

晶体生长控制

晶体生长最大设计长度

150mm*

晶体生长最大设计直径

8mm*

晶体生长最大速度/转速

200mm/hr;40rpm

样品腔真空度/压力

10-4torr to 10 bar

样品腔气氛

O2/Ar/混合气

晶体生长监控

高清摄像头

晶体生长控制

PC控制

其它

占地面积

D140 xW210 x H200 (cm)

 
*具体取决于材料及实验条件
 
 
 
RIKEN(CEMS)设计的同源五束激光发生器原型机实物及原理图
 
采用新一代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例:
 
RubyDy2Ti2O7
BaTiO3
 

 Sr2RuO4 SmB6
 Ba2Co2Fe12O22Y3Fe5O12 
 
* 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供
 
 
 
   
     
copyright 2011,QUANTUM DESIGN 中国子公司 ALL RIGHTS RESERVED 京ICP备05075508号     法律声明 | 代理合作 | 管理员 | 员工通道