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世界首款无液氦低温STM/qPlus显微镜系统(NEW ! ! !)      
 
世界首款无液氦低温STM/qPlusAFM系统  
 

 

产品简介:
美国RHK Technology公司突破了制冷机与STM结合时,存在极强震动噪音的技术壁垒,推出了世界首款无液氦UHV LT STM/ AFM-qPlus系统。在制冷机运行的状态下(<9K),轻松获得原子级分辨率的扫描隧道显微图像。简单易用的机械和软件设计,不需要掌握复杂的STM技术和低温制冷方法,轻松开展材料科学和表面物理前沿科学研究,让低温STM真正走进您的实验室。
 
 
产品特点:
-
无需任何液氦,样品和探针始终处于相同温度;
- 全温区范围实现STM原子级分辨图像;在制冷机运行状态下,噪音水平低于1pm;
- 工作模式有STM和AFM-qPlus,具有强大的谱图采集和分析能力;自带PLL和Lock-in,实现I-V,dI/dV以及dI2/dV2谱线采集和谱图成像;
- 样品架灵活配置:样品尺寸10x10mm,可外接4个电路;
-仅需日常用电,运行和维护成本极低。彻底摆脱低温STM实验受液氦供应制约的烦恼。不再需要掌握复杂的液氦操作和安全知识,连续不间断地进行低温STM实验研究。
 


基本参数:
 

- 温度范围 9K-400K;

- XY方向漂移: 0.2Å/hour,Z方向漂移: 0.2Å/day;

- XYZ方向粗位移范围:5x5x8mm@RT

- 极大扫描范围:8x8x1.5um@RT2x2x0.5um@15K;

-垂直样品方向5T磁场或垂直-平行样品方向5T-1T矢量磁场

应用领域:
 
-二维材料,纳米科学,表面物理化学等
 
-STM:导电样品形貌和电学性能(电导,电子态密度)表征,化学键振动,原子或分子操纵,纳米结构的建造
 
-AFM:导电或不导电样品形貌表征,力学性能,电荷密度(功函数)

  视频教程
                    PanScan Freedom-3D动态演示                   
             PanScan Freedom-告别高昂的液氦费用


测试数据展示
  
 
 Si(111)和KBr的qPlus原子级分辨图像(RT下测得)

应用案例:

Oregon UniversityGeorge Nazin教授利用扫描隧道显微(STM)和扫描隧道谱学(STS)技术研究了吸附在Au(111)表面上的烷基取代噻吩低聚物的构象和电子结构,发现Au(111)表面反应活性的局部变化可以导致分子轨道能级的明显变化(图1DOI: 10.1021/acsami.5b03516)。这些结果表明,界面分子的构象和电子结构可能与基于块状噻吩晶体的能带结构而预期的性能有很大的不同。
   
 


 
部分用户列表(排名不分先后)
RHK公司PanScan Freedom产品以其技术独创性和稳定性、极高的精度和良好的用户体验得到了国内外众多科学家的认可和青睐,在全球范围内已有超过了20位用户。RHK公司的产品在国内也得到了表面科学、低温、真空等研究领域著名科学家和研究组的欢迎......
 复旦大学    中科院上海技术物理研究所
 中科院物理研究所  天津大学
 University of Oregonpasting,USA  Leiden University, Nertherland
 Loyola University Chicago,USA Ewha Womans University, South Korea
 
 
用户发表的文章:
1. Benjamen N. Taber et al. ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 15138−15142. 
2. Dmitry A. Kislitsyn et al.J. Phys. Chem. C 2015, 119, 26959−26967.
3. Christian F. Gervasi et al.Nanoscale, 2015, 7, 19732–19742.
4. Manuel J. Kolb et al.PRL 116, 136101 (2016).
5. J. Derouin et al.Surface Science 641 (2015) L1–L4.
6. Jason D. Hackley et al.REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS 85, 103704 (2014).
7. Dmitry A. Kislitsyn et al.J. Phys. Chem. Lett. 2016, 7,1047−1054. 
8. D. A. Kislitsyn et al.Phys. Chem. Chem. Phys., 2016, 18, 4842--4849.
9. Dmitry A. Kislitsyn et al.J. Phys. Chem. Lett. 2014, 5, 3701−3707
10. Jonathan Derouin et al.ACS Catal. 2016, 6, 4640−4646.
11. Dmitry A. Kislitsyn et al.J. Phys. Chem. Lett. 2014, 5, 3138−3143. 

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